高通可穿戴芯片骁龙5100系列将采用4nm工艺制造

2月23日 消息:高通已开始在其旗舰智能手机芯片骁龙8 Gen 1芯片中使用4nm工艺，现在该公司正准备将这一新工艺用于即将推出的可穿戴设备芯片即将推出的高通骁龙Wear5100和骁龙Wear 5100+ 预计将使用4nm工艺节点制造，与当前一代芯片相比，这将带来更好的性能目前的骁龙Wear4100芯片是使用12nm工艺节点制造的，而骁龙Wear 3100是使用28nm节点制造的

据报道，三星代工厂将制造这些新芯片，但它们也将被其他智能手机制造商使用值得注意的是，骁龙8 Gen 1 芯片也由三星使用新的 4nm 工艺节点制造

Wear 5100 和 5100+ 之间的区别就在于封装骁龙Wear 5100将分离 SoC 和电源管理集成电路

另一方面，骁龙Wear 5100+将采用所谓的模塑嵌入式封装 ，所有东西都封装在一起据说它还拥有来自ARM的心率和跌倒检测技术，并提供改进的触觉

据说这两种版本都有四个运行频率为 1.7GHz 的 Cortex—A53 内核以及运行频率为 700MHz的 Adreno702 图形处理器它们将支持高达 4GB 的 LPDDR4X RAM 和 eMMC 5.1 存储

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