台积电将会在2nm工艺上采用GAAFET取代finFET

二是有关台积电2nm工艺节点的时间表问题，魏哲家表示，其公司的2nm工艺正在研发中，有信心在2nm工艺依旧保持技术领先地位，该工艺将会在2024年开始预生产，与于2025年正式投产。

根据消息显示，台积电将会在2nm工艺上采用GAA FET，取代finFET 目前三星为了和台积电竞争，做法比较激进，将会在3nm工艺就用上GAA技术而台积电为了提供给客户最成熟的技术，最好的效能及最佳的成本，保守的选择finFET技术生产3nm工艺芯片

台积电预测，HPC将会是其今年增长最快的领域上一季度HPC占其收入的41%，仅比智能手机产生的40%略高物联网和汽车分别以了8%和5%的收入占比，排在第三和第四位

外媒的报道显示，包括CEO魏哲家在内的多位台积电高管，在上周出人意料的到访了中部科学工业园区，同相关人员会面，随后就有报道称台积电计划在中部科学工业园区建设2nm工艺的芯片生产工厂。